湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产最佳温度范围为35—45%。
具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。
洁净室的测试：打开盖或解除肩带罩让开口只有18英寸。 使用遮光罩的通风烟管、排放烟雾在这个开放。 这烟应该看到立即被吸入内部罩空间。不使用遮光罩如果烟被推，流或外面徘徊开幕。
1、过滤器检漏：对高效过滤器及其外框要进行检验，以保证悬浮污染物不会穿过：损坏了的过滤器、过滤器与其外框间的缝隙、过滤器装置的其他部位而侵入室内。
2、各区之间的气流控制：为证明各区之间气流运动方向正确，也就是从洁净区向洁净度差的区域流动，必须检测：各区间的压差正确、门口处或墙、地板等处的开口处气流运动方向正确，即从洁净区向洁净程度差的区域流动。
3、悬浮粒子浓度和微生物浓度：如果上述这些测试满足要求，则最后对粒子浓度和微生物浓度(需要时)进行测量，以便验明其符合设计的技术条件。
4、室内气流控制：气流控制测试的类型要依气流模式——是紊流还是单向流而定。若气流为紊流，则必须验明室内没有气流运行不足的区域。若是单向流洁净室，则必须验明整个室内的风速和风向是符合设计要求的。
5、送风量与排风量：如果是紊流型，那么就要测量其送风量与排风量。若为单向流型，则要测量其风速。
6、隔离检漏：这项测试是为了证明悬浮污染物不穿过建筑材料侵入洁净车间。
洁净棚的测试主要是为了确保其整体性能符合相关标准，以在使用中得到最好的发挥。
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